Dallas Semiconductor – одна из ведущих в мире фирм-производителей микросхем
энергонезависимой статической памяти. В корпусе микросхемы размещается кристалл микромощной памяти, встроенный
литиевый источник питания и управляющая схема, которая контролирует соответствие
напряжение питания допустимым пределам. При падении питающего напряжения ниже
некоторого предела подключается внутренняя батарейка. Дополнительно управляющая
схема обеспечивает автоматическую защиту записей при пропадании питания, причём
гарантируется сохранение данных в памяти в течение 10 лет при полном отсутствии
внешних источников питания. Кристалл имеет внутренний изолирующий слой,
позволяющий электрически отключать литиевый источник при хранении микросхемы на
складе. При первом включении этот слой разрушается. это обеспечивает сохранение
энергии литиевого источника до момента начала использования микросхемы.
Dallas Semiconductor выпускает энергонезависимую память как в виде модулей,
совместимых по разводке выводов с DIP-корпусами аналогичных по объёму типов SRAM
и EPROM памяти, так и в виде готовых SIMM модулей большого объёма с гибкой
конфигурацией 128к х 32, 256к х 16 или 512к х 8. Кроме того, память может
выпускаться в корпусе PCM (PowerCap Module), который представляет собой
низкопрофильный модуль с 34 выводами, предназначенными для поверхностного
монтажа. Этот модуль имеет дополнительную съёмную часть DS9034PC с литиевой
батарейкой.
В качестве аксессуаров к микросхемам памяти используются литиевые батарейки
DS3802, DS9034PD, DS9034PCI, выпускающиеся
в корпусе PowerCap. Они устанавливаются путем защелкивания непосредственно на
микросхемы памяти в корпусе BGA.
|
DS1230 |
AB |
P |
_ |
120 |
IND |
1 |
2 |
3 |
|
4 |
5 |
|
- Номер разработки
- Код напряжения питания:
AD – 5.0 в, ±10% (4.5 - 5.5 в)
AB – 5.0 в, ± 5% (4.75 - 5.25 в)
W – 3.3 в, ±10% (3.0 - 3.6 в)
Y – 5.0 в, ±10% (4.5 - 5.5 в)
- Тип корпуса:
не обозн. – DIP
P – PowerCap
- Время обращения, нс
- Диапазон рабочих температур:
не обозн. – 0…+70°C
IND – -40…+85°C
|
|
Наименование |
Объём памяти, бит |
Организация памяти |
Время обращения, нс |
Код напряжения питания, В |
Монитор батареи |
Диапазон рабочих температур |
Тип корпуса |
Дополнительные особенности |
0…+70°C |
-40…+85°C |
DS1220 |
16K |
2k x 8 |
100, 120, 150, 200 |
AB, AD, Y |
|
+ |
+ |
EDIP-24 |
10 летняя гарантия для “Y” версии начинается от
даты производства, для “AB/AD” - от даты первого использования |
DS1225 |
64K |
8k x 8 |
70, 85, 150, 200 |
AB, AD, Y |
|
+ |
+ |
EDIP-28 |
|
DS1230 |
256K |
32k x 8 |
70, 85, 100, 120, 150, 200 |
AB, W, Y |
|
+ |
+ |
EDIP-28, PowerCap-34 |
|
DS1330 |
256K |
32k x 8 |
70, 100 |
AB, W, Y |
+ |
+ |
+ |
PowerCap-34 |
Мониторинг питания, ф-ция сброса |
DS1245 |
1M |
128k x 8 |
70, 85, 100, 120 |
AB, W, Y |
|
+ |
+ |
EDIP-32, PowerCap-34 |
|
DS1345 |
1M |
128k x 8 |
70, 100 |
AB, W, Y |
+ |
+ |
+ |
PowerCap-34 |
Мониторинг питания, ф-ция сброса |
DS3803 |
1M |
128k x 8, 64k x 16, 32k x 32 |
70 |
4.5 - 5.5 |
|
+ |
|
SIPSTIK-72 |
NV SRAM SIMM с селективной
организацией памяти |
DS1249 |
2M |
256k x 8 |
85, 100 |
AB, W, Y |
|
+ |
+ |
EDIP-32 |
|
DS1250 |
4M |
512k x 8 |
70, 100 |
AB, W, Y |
|
+ |
+ |
EDIP-32, PowerCap-34 |
|
DS1350 |
4M |
512k x 8 |
70, 100 |
AB, W, Y |
+ |
+ |
+ |
PowerCap-34 |
Мониторинг питания, ф-ция сброса |
DS1258 |
4M |
128k x 16 |
70, 100 |
AB, W, Y |
|
+ |
|
EDIP-40 |
Входы #CEU и #CEL |
DS2227 |
4M |
512k x 8, 256k x 16, 128k x 32 |
70, 100, 120 |
4.5 - 5.5 |
|
+ |
|
SIPSTIK-72 |
NV SRAM SIMM с селективной организацией памяти |
DS1265 |
8M |
1M x 8 |
70, 100 |
AB, W, Y |
|
+ |
+ |
EDIP-36 |
|
DS1270 |
16M |
2M x 8 |
70, 100 |
AB, W, Y |
+ |
|
+ |
EDIP-36 |
|
DS3816C-512 |
16M |
512k x 32 |
70 |
4.5 - 5.5 |
+ |
|
+ |
BGA-168 |
Наличие часов реального времени (RTC) |
DS3832C-311 |
32M |
1024k x 32 |
100 |
3.0 - 3.6 |
+ |
|
+ |
BGA-168 |
Наличие часов реального времени (RTC) |
DS38464 |
64K x 40 |
64k x 40 |
70 |
3.0 - 3.6 |
+ |
+ |
|
SIMM-72 |
NV SRAM SIMM |